Samsung introduce un chip di memoria DDR5 potente ed efficiente dal punto di vista energetico

Samsung Electronics ha lo sviluppo di un 512 GB DDR5 Annunciato il modulo di memoria. Questa è la prima Unità DRAM dell'azienda prodotta secondo l'ultimo standard DDR5 stabilito dalla JEDEC Solid State Technology Association lo scorso luglio. Con Tecnologia High-K-Metal-Gate (HKMG) l'hardware prodotto offre velocità di trasferimento dati fino a 7200 Mbit / s, più del doppio più veloce di DDR4.

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L'azienda ha utilizzato otto livelli da 16 GbpsChip DRAMper costruire questo modulo. Secondo il gigante tecnologico sudcoreano, l'uso di Tecnologia HKMG al posto del tradizionale ossido di silicio nello strato isolante, aiuta a ridurre la corrente di dispersione rispetto ai precedenti tipi di chip di memoria. Inoltre, la nuova memoria consuma circa il 13% in meno di elettricità rispetto ai chip precedenti, il che, secondo l'azienda, la rende particolarmente interessante per i data center.

Samsung ha avviato il Tecnologia HKMG applicare ai suoi prodotti di archiviazione. Dallo scorso anno, il processo di radiazione ultravioletta estrema è stato utilizzato anche in Produzione di DRAM Usato. In occasione del rilascio del chip di memoria da record, i rappresentanti di Intel negli Stati Uniti hanno annunciato che stanno lavorando a stretto contatto con Samsung DDR5 ha parlator per fornire che sia ottimizzato per le prestazioni e con le prossime informazioni Processori scalabili Xeon, Nome in codice Sapphire Rapids, è compatibile.